Dióxido do háfnio da análise de espectro/óxido Hfo2 Cas do háfnio nenhum 12055-23-1

 

       O háfnio (HfO2) é uma diferença de faixa larga e uma constante dielétrica alta da cerâmica, recentemente no campo da microeletrônica da indústria especialmente é extremamente atenção, porque é mais provável substituir o circuito integrado silicone-baseado atual dos componentes do núcleo do silicone dielétrico da porta de (MOSFET) do tubo do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal (SiO2), a fim resolver o MOSFET no desenvolvimento da estrutura tradicional limite do tamanho de SiO2/si.

 

1, fórmula molecular: HfO2

2. Peso molecular: 210,6

3. Aparência: fatias brancas ou cinzentas, partículas

4. Densidade: 9.68g/cm3

5, ponto de derretimento: 2850 graus centígrado

6. Pressão da vaporização

Em 2678 C, 1Pa

Em 2875 C, 10Pa

7. O coeficiente da expansão linear: 5,6 x 10-6/K

8. Solubilidade: insolúvel na água

8, pureza: 99,99

9. Características do filme:

Escala clara do transmitância de 220 a 12000Nm

R.I. (250nm) ~ 2,15

(500nm) ~ 2

10. A condição da evaporação:

Arma eletrônica

Pressão parcial do oxigênio a 1~2 x 10-2Pa

Temperatura da evaporação a 2600~2800 graus centígrado

Temperatura da carcaça a 250 graus centígrado

Taxa de evaporação 2nm/s

Campo da aplicação: Filme de antirreflexo UV, membrana da interferência

 

 

ARTIGO			ESPECIFICAÇÕES			RESULTADOS DA ANÁLISE
HfO2+Zr (%, minuto)			minuto 99,9%			conforme-se
RE impurezas (%, máximos)
Fe			0,0002			conforme-se
Al			0,0001			conforme-se
Si			0,002			conforme-se
Si			0,01			conforme-se
B			0,0025			conforme-se
Pb			0,001			conforme-se
CD			0,0001			conforme-se
Cu			0,002			conforme-se
Cr			0,005			conforme-se
Magnésio			0,001			conforme-se
Mo			0,001			conforme-se
Manganês			0,001			conforme-se
Ni			0,0015			conforme-se
Sn			0,002			conforme-se
V			0,001			conforme-se
L.O.I (1100℃)			1			conforme-se
O outro índice
Tamanho de partícula (milímetros)			0.1-3			conformam-se